지난 10여년간 세계 메모리반도체 시장의 주력 제품은 D램과 낸드플래시였다.
기업들은 이제 차세대 반도체 개발에 눈을 돌리고 있다.
차세대 반도체의 특징은 '보다 작은 크기에 보다 많은 데이터를 저장하고,보다 빠른 처리 속도를 갖춘 제품'이라 할 수 있다.
이런 조건을 만족시킬 수 있는 차세대 반도체로 떠오르고 있는 제품은 크게 P램 F램 M램 등 3가지다.
이들 제품의 특징은 전원이 꺼진 상태에서도 데이터가 지워지지 않고 저장되는 플래시메모리의 장점과 데이터 처리 속도가 빠른 D램의 장점을 골고루 갖췄다는 점이다.
이들 차세대 메모리 반도체 중 가장 먼저 상용화 단계에 접어든 제품은 'P램'이다.
P램은 '게르마늄 안티몬 텔룰로이드'라는 물질이 일정 온도에서 비결정질에서 결정질로 바뀌는 특성을 이용해 개발된 메모리 반도체다.
삼성전자는 지난해 64메가비트(Mb) P램을 개발한 데 이어 올해 256Mb를 개발했으며 마이크론과 인피니언 등도 개발에 박차를 가하고 있다.
'F램'은 전기를 흘려주면 자석처럼 플러스와 마이너스 전극을 띠게 되는 '강유전체'란 물질을 소재로 만든 메모리 반도체다.
D램 수준의 빠른 동작 속도와 낮은 동작 전압을 갖추고 있을 뿐 아니라 플래시메모리보다 10배 이상 빠른 데이터 저장·처리 속도를 낼 수 있다.
미국의 램트론사가 지난 1995년 세계 최초로 64킬로비트(Kb) 제품을 생산했으며 삼성전자는 2002년 32Mb 제품을 개발한 상태다.
'M램'은 '자기'를 이용해 정보를 저장·처리하는 메모리로 차세대 메모리반도체 가운데 개발 속도가 가장 늦다.
모토로라가 2003년 4Mb제품을 선보인 데 이어 인피니언과 IBM이 지난해 6월 16Mb급 제품을 개발한 상태다.
